65W充電器以體積較小，能充電手機(jī)又能充電筆記本，獲得了廣大用戶的喜愛(ài)，是氮化鎵充電器的主力出貨功率段。然而芯片方案少（主要為O公司、P公司方案）、價(jià)格高、貨期長(zhǎng)這些問(wèn)題也長(zhǎng)期困擾業(yè)界。最近，充電頭網(wǎng)了解到國(guó)內(nèi)電源芯片的領(lǐng)先企業(yè)——杰華特的1515H方案因有效解決了上述矛盾而獲得了不少一線手機(jī)、筆電廠家的關(guān)注與應(yīng)用。

充電頭網(wǎng)拿到并深度分析了杰華特JW1515H的65W氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)，JW1515H針對(duì)65W段充電器進(jìn)行了全方位的優(yōu)化：調(diào)試簡(jiǎn)單，便于開(kāi)發(fā)；采用反激架構(gòu)，可以降低充電器成本；同時(shí)適配45-130W應(yīng)用，滿足手機(jī)和筆記本充電器應(yīng)用；全功率段都保持高效率，有效降低發(fā)熱。JW1515H有望成為高功率氮化鎵方案的主流選擇之一。

下面，我們就一起來(lái)看看杰華特推出的JW1515H參考設(shè)計(jì)吧。

杰華特這款65W氮化鎵USB PD參考設(shè)計(jì)采用準(zhǔn)諧振反激架構(gòu)，支持5V-20V寬電壓輸出范圍，尺寸為48*47*21mm，功率密度為1.37W/CC。為了方便客戶測(cè)試及參考設(shè)計(jì)方案，該款參考設(shè)計(jì)沒(méi)有采用多塊PCB拼插方法來(lái)進(jìn)一步縮減體積，而是采用單塊PCB設(shè)計(jì)，正面擺放直插元件，背面擺放貼片元件。

輸入端有保險(xiǎn)絲和完整的兩級(jí)共模電感和X電容組成的EMI濾波電路，電解電容來(lái)自中元，400V22μF，共5顆。

從側(cè)邊看，變壓器在左側(cè)，中間是濾波電解電容，右側(cè)是輸入濾波電路。

變壓器采用RM8磁芯，使用膠帶纏繞絕緣。變壓器次級(jí)輸出線還套有熱縮管加強(qiáng)絕緣。

Y電容右側(cè)是輸出模塊，為了兼顧客戶設(shè)計(jì)方案的多樣性，輸出控制部分采用獨(dú)立模塊設(shè)計(jì)。參考設(shè)計(jì)上配備的模塊為PD輸出模塊，通過(guò)協(xié)議小板調(diào)節(jié)輸出電壓，客戶也可以根據(jù)需求自行更換輸出電壓控制模塊。

電路板正面一覽，可以看到，參考設(shè)計(jì)的輸入端位于左上角，輸入能量經(jīng)過(guò)EMI濾波電路后進(jìn)入母線電解電容，再?gòu)挠覀?cè)的變壓器傳輸?shù)诫娐犯边叄�最終從右下角的輸出模塊輸出能量。參考設(shè)計(jì)整體布局分區(qū)明顯，功率路線清晰。同時(shí)也可以看到電路板上空間比較充裕，還可以通過(guò)多PCB拼插的方式進(jìn)一步利用空間，縮小體積，并提高功率密度。

電路板背面一覽，得益于芯片高集成度化，電路板背面的元件很少，并且布局清晰。左上為JW1515H控制器和氮化鎵開(kāi)關(guān)管，左下為同步整流控制器和同步整流管，右下是兩顆整流橋，用于均攤發(fā)熱，在三個(gè)區(qū)域中間采用PCB開(kāi)槽方式增強(qiáng)絕緣特性。

輸入端兩顆整流橋?yàn)镈BF310，3A耐壓1000V，兩顆并聯(lián)使用均攤電流，以減小發(fā)熱。

杰華特JW1515H是一顆高度集成的準(zhǔn)諧振反激控制器，支持700V高壓?jiǎn)��?dòng)，集成X電容放電功能，支持8~90V寬范圍供電，無(wú)需外加穩(wěn)壓元件。內(nèi)置高可靠GaN直驅(qū)電路，6V驅(qū)動(dòng)電壓可直接驅(qū)動(dòng)GaN器件，有效簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，可靠性更高。與競(jìng)品相比，杰華特1515H外圍電路可節(jié)省10+器件，有效的減少了成本和面積，增加了布板自由度。

JW1515H采用SSOP-10封裝，支持最高260KHz開(kāi)關(guān)頻率，支持多模式運(yùn)行，在重載下進(jìn)入QR模式，在輕載下進(jìn)入Burst模式，確保全功率段的系統(tǒng)高效率。具有可選且可調(diào)的OCP和OPP功能，設(shè)計(jì)靈活，滿足不同的PD和QC應(yīng)用。同時(shí)JW1515H具有極低的待機(jī)功耗，支持逐周期電流限制，提供多達(dá)十余項(xiàng)完善的保護(hù)功能。支持抖頻，降低EMI優(yōu)化難度。預(yù)留BIAS引腳，在確保驅(qū)動(dòng)回路最簡(jiǎn)最小的情況下，還可通過(guò)調(diào)節(jié)BIAS pin外部串聯(lián)電阻的阻值來(lái)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)速度，為EMI優(yōu)化提供多重手段。

主電路開(kāi)關(guān)管采用英諾賽科INN650D02，這是一顆耐壓650V，200mΩ的氮化鎵開(kāi)關(guān)管，JW1515H內(nèi)置氮化鎵驅(qū)動(dòng)器可直接驅(qū)動(dòng)，無(wú)需外置驅(qū)動(dòng)元件。

副邊搭配JW7726B高頻同步整流控制器，支持CCM、DCM、QR和ACF模式，支持高側(cè)和低側(cè)應(yīng)用，具有低靜態(tài)電流。在振鈴期間能有效防止同步整流MOSFET的誤開(kāi)通；具有快速關(guān)斷能力以便能兼容CCM；在啟動(dòng)過(guò)程中（VCC建立之前）能有效防止門(mén)極gate被耦合至開(kāi)啟電壓。適用于主動(dòng)鉗位反激和準(zhǔn)諧振反激架構(gòu)，可用于充電器，液晶電視等。

杰華特JW7726B采用SOT23封裝，外圍元件精簡(jiǎn)。

同步整流管采用英飛凌BSC093N15NS5，耐壓150V，最大導(dǎo)通電阻9.3mΩ。

輸出電壓通過(guò)光耦反饋調(diào)節(jié)，采用EVERLIGHT的EL1019。